Изображения являются только для ссылки
IPG15N06S3L-45
+БОМMOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IPG15N06S3L-45
-
Лист данных IPG15N06S3L-45 DataSheet
-
Пакет VDFN-8
-
В наличии2529
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Series | OptiMOS™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 15A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 45mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1420pF @ 25V |
| Power - Max | 21W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
