IPG20N04S418AATMA1

Изображения являются только для ссылки

IPG20N04S418AATMA1

+БОМ

MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IPG20N04S418AATMA1

  • Лист данных IPG20N04S418AATMA1 DataSheet

  • Пакет VDFN-8

  • В наличии6841

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 18.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 8µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 25V
Power - Max 26W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank

Продукты, связанные с IPG20N04S418AATMA1