IPG20N06S2L50AATMA1

Изображения являются только для ссылки

IPG20N06S2L50AATMA1

+БОМ

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IPG20N06S2L50AATMA1

  • Пакет VDFN-8

  • В наличии6087

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 19µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 560pF @ 25V
Power - Max 51W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank

Продукты, связанные с IPG20N06S2L50AATMA1