Изображения являются только для ссылки
IPG20N06S3L-23
+БОМMOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IPG20N06S3L-23
-
Лист данных IPG20N06S3L-23 DataSheet
-
Пакет VDFN-8
-
В наличии4151
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Series | OptiMOS™ |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 55V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 20A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 23mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 20µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 42nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2950pF @ 25V |
| Power-Max | 45W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-PowerVDFN |
