Изображения являются только для ссылки
IPG20N06S4L14ATMA2
+БОМMOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IPG20N06S4L14ATMA2
-
Лист данных IPG20N06S4L14ATMA2 DataSheet
-
Пакет VDFN-8
-
В наличии8385
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2890pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
