IRF7338PBF

Изображения являются только для ссылки

IRF7338PBF

+БОМ

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IRF7338PBF

  • Лист данных IRF7338PBF DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии6456

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.3A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 640pF @ 9V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с IRF7338PBF