Изображения являются только для ссылки
IRF7351PBF
+БОМMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IRF7351PBF
-
Лист данных IRF7351PBF DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии2610
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tube |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 8A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 17.8mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1330pF @ 30V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
