IRF7902PBF

Изображения являются только для ссылки

IRF7902PBF

+БОМ

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IRF7902PBF

  • Лист данных IRF7902PBF DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии8859

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.4A, 9.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.25V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 580pF @ 15V
Power - Max 1.4W, 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с IRF7902PBF