IRF8313PBF

Изображения являются только для ссылки

IRF8313PBF

+БОМ

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IRF8313PBF

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии7996

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tube,Tube
Part Status Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 760pF @ 15V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с IRF8313PBF