Изображения являются только для ссылки
IRF9952
+БОМMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IRF9952
-
Лист данных IRF9952 DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии7535
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tube |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
