Изображения являются только для ссылки
IXFA18N65X2
+БОМMOSFET N-CH 650V 18A TO263
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #IXFA18N65X2
-
В наличии8264
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | HiPerFET™, Ultra X2 |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 200mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1520 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
