IXFC14N80P

Изображения являются только для ссылки

IXFC14N80P

+БОМ

MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFC14N80P

  • Лист данных IXFC14N80P DataSheet

  • В наличии6123

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, PolarHT™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 770mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package ISOPLUS220™

Продукты, связанные с IXFC14N80P