IXFH26N55Q

Изображения являются только для ссылки

IXFH26N55Q

+БОМ

MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFH26N55Q

  • В наличии4954

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)

Продукты, связанные с IXFH26N55Q