IXFK120N30T

Изображения являются только для ссылки

IXFK120N30T

+БОМ

MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFK120N30T

  • В наличии5277

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Trench
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)

Продукты, связанные с IXFK120N30T