IXFK20N120P

Изображения являются только для ссылки

IXFK20N120P

+БОМ

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFK20N120P

  • В наличии3

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 570mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 193 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11100 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)

Продукты, связанные с IXFK20N120P