Изображения являются только для ссылки
IXFN50N80Q2
+БОМMOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #IXFN50N80Q2
-
В наличии5662
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | HiPerFET™, Q2 Class |
| Part Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 160mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 13500 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 1135W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
