IXFT16N120P-TRL

Изображения являются только для ссылки

IXFT16N120P-TRL

+БОМ

MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFT16N120P-TRL

  • В наличии8800

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 950mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 660W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268

Продукты, связанные с IXFT16N120P-TRL