IXTA80N10T7

Изображения являются только для ссылки

IXTA80N10T7

+БОМ

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTA80N10T7

  • В наличии5270

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series TrenchMV™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 14mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3040 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263-7 (IXTA)

Продукты, связанные с IXTA80N10T7