IXTH50P085

Изображения являются только для ссылки

IXTH50P085

+БОМ

MOSFET P-CH 85V 50A TO247

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTH50P085

  • Лист данных IXTH50P085 DataSheet

  • В наличии9053

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 85 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 55mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)

Продукты, связанные с IXTH50P085