IXTH58N25L2

Изображения являются только для ссылки

IXTH58N25L2

+БОМ

MOSFET N-CH 250V 58A TO247

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTH58N25L2

  • В наличии6553

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Linear L2™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 64mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)

Продукты, связанные с IXTH58N25L2