IXTP120P065T

Изображения являются только для ссылки

IXTP120P065T

+БОМ

MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTP120P065T

  • В наличии5781

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series TrenchP™
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 65 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±15V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 13200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 298W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3

Продукты, связанные с IXTP120P065T