IXTX210P10T

Изображения являются только для ссылки

IXTX210P10T

+БОМ

MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTX210P10T

  • В наличии76

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series TrenchP™
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 210A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 7.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 740 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±15V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 69500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PLUS247™-3

Продукты, связанные с IXTX210P10T