Изображения являются только для ссылки
MBR200200CTR
+БОМDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #MBR200200CTR
-
Лист данных MBR200200CTR DataSheet
-
Пакет Twin Tower
-
В наличии7515
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 100A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 920 mV @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 3 mA @ 200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Twin Tower |
