Изображения являются только для ссылки
MUR20010CTR
+БОМDIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #MUR20010CTR
-
Лист данных MUR20010CTR DataSheet
-
Пакет Twin Tower
-
В наличии3883
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 100 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 100A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.3 V @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 75 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 25 µA @ 50 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Twin Tower |
