Изображения являются только для ссылки
MURT40060R
+БОМDIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #MURT40060R
-
Лист данных MURT40060R DataSheet
-
Пакет Three Tower
-
В наличии2114
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 200A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 200 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 240 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 25 µA @ 50 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Three Tower |
