Изображения являются только для ссылки
MURTA600120R
+БОМDIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #MURTA600120R
-
Лист данных MURTA600120R DataSheet
-
Пакет Three Tower
-
В наличии2219
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 300A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 2.6 V @ 300 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 25 µA @ 1200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Three Tower |
