NCV5707BDR2G

Изображения являются только для ссылки

NCV5707BDR2G

+БОМ

ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

  • ПроизводительОнсеми

  • Мфр. Часть #NCV5707BDR2G

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии6667

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Active
DrivenConfiguration High-Side and Low-Side
ChannelType Single
NumberofDrivers 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 7V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.75V, 4.3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 7.8A, 6.8A
InputType Inverting
Rise/FallTime(Typ) 9.2ns, 7.9ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Продукты, связанные с NCV5707BDR2G