NTMD2C02R2G

Изображения являются только для ссылки

NTMD2C02R2G

+БОМ

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

  • ПроизводительОнсеми

  • Мфр. Часть #NTMD2C02R2G

  • Лист данных NTMD2C02R2G DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии9469

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.2A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1100pF @ 10V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с NTMD2C02R2G