NTMFD4C86NT1G

Изображения являются только для ссылки

NTMFD4C86NT1G

+БОМ

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11.3A, 18.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22.2nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1153pF @ 15V
Power-Max 1.1W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerTDFN

Продукты, связанные с NTMFD4C86NT1G

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку NTMFD4C86NT1G Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.