Изображения являются только для ссылки
PDTA123ES,126
+БОМTRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
-
ПроизводительКомпания NXP USA Inc.
-
Мфр. Часть #PDTA123ES,126
-
Лист данных PDTA123ES,126 DataSheet
-
Пакет TO-226-3
-
В наличии9268
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | NXP USA Inc. |
| Package | Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Obsolete |
| TransistorType | PNP - Pre-Biased |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 100 mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
| Resistor-Base(R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor-EmitterBase(R2) | 2.2 kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 30 @ 20mA, 5V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 1µA |
| Power-Max | 500 mW |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
