Изображения являются только для ссылки
PMEG6010ESBYL
+БОМRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 60V
-
ПроизводительКомпания NXP USA Inc.
-
Мфр. Часть #PMEG6010ESBYL
-
Лист данных PMEG6010ESBYL DataSheet
-
Пакет XDFN-2
-
В наличии4131
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730 mV @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 60 V |
| Capacitance @ Vr F | 20pF @ 10V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DSN1006-2 |
