R6006KNXC7G

Изображения являются только для ссылки

R6006KNXC7G

+БОМ

600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #R6006KNXC7G

  • В наличии997

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 830mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220FM

Продукты, связанные с R6006KNXC7G