R6020ENZC17

Изображения являются только для ссылки

R6020ENZC17

+БОМ

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #R6020ENZC17

  • Лист данных R6020ENZC17 DataSheet

  • В наличии3543

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-3PF

Продукты, связанные с R6020ENZC17