Изображения являются только для ссылки
RDN050N20FU6
+БОМMOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
-
Производителькомпанией Rohm Semiconductor
-
Мфр. Часть #RDN050N20FU6
-
Лист данных RDN050N20FU6 DataSheet
-
В наличии9442
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 720mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 18.6 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 292 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
