RQ3P300BHTB1

Изображения являются только для ссылки

RQ3P300BHTB1

+БОМ

NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #RQ3P300BHTB1

  • В наличии709

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 39A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 15.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2040 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)

Продукты, связанные с RQ3P300BHTB1