SCT3080KRC14

Изображения являются только для ссылки

SCT3080KRC14

+БОМ

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #SCT3080KRC14

  • В наличии563

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 18V
Rds On(Max) @ Id Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.6V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 785 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 165W
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4L

Продукты, связанные с SCT3080KRC14