SH8M13GZETB

Изображения являются только для ссылки

SH8M13GZETB

+БОМ

MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #SH8M13GZETB

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии3575

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A, 7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Power - Max 2W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SH8M13GZETB