SI9910DY-E3

Изображения являются только для ссылки

SI9910DY-E3

+БОМ

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI9910DY-E3

  • Лист данных SI9910DY-E3 DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии7187

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
DrivenConfiguration High-Side
ChannelType Single
NumberofDrivers 1
GateType N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10.8V ~ 16.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1A, 1A
InputType Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 500 V
Rise/FallTime(Typ) 50ns, 35ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Продукты, связанные с SI9910DY-E3