Изображения являются только для ссылки
SIDC11D60SIC3
+БОМDIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #SIDC11D60SIC3
-
Лист данных SIDC11D60SIC3 DataSheet
-
Пакет Die
-
В наличии3973
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Discontinued at Digi-Key |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 4A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.9 V @ 4 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 200 µA @ 600 V |
| Capacitance@VrF | 150pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | Die |
| SupplierDevicePackage | Sawn on foil |
