Изображения являются только для ссылки
STB11NM80T4
+БОМMOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STB11NM80T4
-
Лист данных STB11NM80T4 DataSheet
-
В наличии8698
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | MDmesh™ |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 800 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 11A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1630 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 150W (Tc) |
| OperatingTemperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D2PAK |
