Изображения являются только для ссылки
STD2NK90Z-1
+БОМMOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STD2NK90Z-1
-
Лист данных STD2NK90Z-1 DataSheet
-
В наличии8757
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | SuperMESH™ |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 900 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2.1A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 6.5Ohm @ 1.05A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 50µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 485 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 70W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | I-PAK |
