STD4NK80Z-1

Изображения являются только для ссылки

STD4NK80Z-1

+БОМ

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

  • ПроизводительSTМикроэлектроника

  • Мфр. Часть #STD4NK80Z-1

  • В наличии14465

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Series SuperMESH™
Part Status Active
Base Product Number STD4NK80
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Package TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Packaging Tube

Продукты, связанные с STD4NK80Z-1