STGW80H65FB-4

Изображения являются только для ссылки

STGW80H65FB-4

+БОМ

IGBT BIPO 650V 80A TO247

  • ПроизводительSTМикроэлектроника

  • Мфр. Часть #STGW80H65FB-4

  • Лист данных STGW80H65FB-4 DataSheet

  • Пакет TO-247-4

  • В наличии3845

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tube
Part Status Active
IGBT Type Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 120 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 80A
Power - Max 469 W
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge 414 nC
Td(on / off) @ 25°C 84ns/280ns
Test Condition 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с STGW80H65FB-4