Изображения являются только для ссылки
STH360N4F6-2
+БОМMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STH360N4F6-2
-
В наличии919
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 180A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.25mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 340 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 17930 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 300W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | H2Pak-2 |
