Изображения являются только для ссылки
STH410N4F7-2AG
+БОМMOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STH410N4F7-2AG
-
В наличии6854
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.1mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 11500 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 365W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
