Изображения являются только для ссылки
STH80N10LF7-2AG
+БОМMOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STH80N10LF7-2AG
-
Лист данных STH80N10LF7-2AG DataSheet
-
В наличии3971
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 28.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
