Изображения являются только для ссылки
STI33N60M2
+БОМMOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STI33N60M2
-
Лист данных STI33N60M2 DataSheet
-
В наличии9320
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | MDmesh™ II Plus |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 26A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 125mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 45.5 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1781 pF @ 100 V |
| PowerDissipation(Max) | 190W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | I2PAK (TO-262) |
