Изображения являются только для ссылки
STP3NB100
+БОМMOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STP3NB100
-
Лист данных STP3NB100 DataSheet
-
В наличии7465
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | PowerMESH™ |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1000 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 6Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 700 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 100W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-220 |
