TP2522N8-G

Изображения являются только для ссылки

TP2522N8-G

+БОМ

MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #TP2522N8-G

  • Лист данных TP2522N8-G DataSheet

  • В наличии7952

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 220 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 260mA (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 125 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-243AA (SOT-89)

Продукты, связанные с TP2522N8-G