VWM200-01P

Изображения являются только для ссылки

VWM200-01P

+БОМ

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #VWM200-01P

  • Пакет V2-PAK

  • В наличии8572

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 210A
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 2mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 430nC @ 10V
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с VWM200-01P